加熱TEM観察を利用したPb(Zr,Ti)O_3_強誘電体薄膜における残留応力のin-situ測定による強誘電体メモリ特性の向上に関する研究

Notes on use

Search by Bookstore

This page shows libraries in Japan other than the National Diet Library that hold the material.

Please contact your local library for information on how to use materials or whether it is possible to request materials from the holding libraries.

other

Tokyo Tech Research Repository
Paper
You can check the holdings of institutions and databases with which 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ） is linked at the site of 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）.
Tokyo Tech Research Repository

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Material Type: 文書・図像類
Title: 加熱TEM観察を利用したPb(Zr,Ti)O_3_強誘電体薄膜における残留応力のin-situ測定による強誘電体メモリ特性の向上に関する研究
Author/Editor: 木口, 賢紀
KIGUCHI, TAKANORI
Author Heading: 木口, 賢紀
KIGUCHI, TAKANORI
Publication, Distribution, etc.: 村田学術振興財団年報
Publication Date: 2001-12
Publication Date (W3CDTF): 2001-12
Alternative Title: Study for improvement of Ferroelectric RAM by residual stress measurment by heating in-situ TEM analysis
Periodical title: 村田学術振興財団年報
No. or year of volume/issue: 15
Volume: 15
Pages: 38-42
ISSN (Periodical Title): ISSN : 0919-3383
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): identifier:oai:t2r2.star.titech.ac.jp:00062629
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 東京工業大学 : 東京工業大学リサーチリポジトリ