原子層堆積法による高機能酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの低温形成とその評価

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Material Type: 博士論文
Title: 原子層堆積法による高機能酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの低温形成とその評価
Title Transcription: ゲンシソウタイセキホウニヨルコウキノウサンカブツハンドウタイオモチイタハクマクトランジスタノテイオンケイセイトソノヒョウカ
Author/Editor: 川村, 悠実
Author Heading: 川村, 悠実カワムラ, ユミ
Publication, Distribution, etc.: 奈良先端科学技術大学院大学
Publication Date: 2013-03-22
Publication Date (W3CDTF): 2013-03-22
Alternative Title: Low-Temperature Fabrication and Evaluation of Thin- Film Transistors with High-performance Oxide Semiconductor Prepared by Atomic Layer Deposition
Degree grantor/type: 奈良先端科学技術大学院大学
Date Granted: 2013-03-22
Dissertation Number: 甲第1135号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 薄膜トランジスタ
酸化亜鉛
原子層堆積法
Target Audience: 一般
DOI: 10.34413/dr.01135
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 奈良先端科学技術大学院大学 : 奈良先端科学技術大学院大学学術リポジトリnaistar