単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

• Material Type: 文書・図像類
• Title: 単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明
• Author/Editor: 近藤, 博基; 安田, 幸夫; 財満, 鎭明; 酒井, 朗; 池田, 浩也
• Author Heading: 近藤, 博基; 安田, 幸夫; 財満, 鎭明; 酒井, 朗; 池田, 浩也
• Publication Date: 2005-04
• Publication Date (W3CDTF): 2005-04
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: Conductive atomic force microscopy; Dielectric breakdown; Gate SiO_2 Films; HfO_2; La_2O_3- Al_2O_3複合膜; MOSキャパシタ; Metal-oxide-Semiconductor; Metal-oxide-Semiconductor(MOS); Scanning tunneling microscopy(STM); Scanning tunneling spectroscopy(STS); Stress induced leakage current; ゲートSiO_2膜; ゲート絶縁膜; ストレス誘起リーク電流; ストレス誘起欠陥; 極薄シリコン酸化膜; 絶縁破壊; 走査トンネル分光; 走査プローブ顕微鏡; 走査型トンネル顕微鏡; 透過電子顕微鏡; 金属酸化膜; 電気伝導特性; 電流スポット; 電流検出型原子間力顕微鏡; 電荷トラップ; 高誘電率ゲート絶縁膜; 高誘電率材料
• Target Audience: 一般
• Note (General): 科学研究費補助金 研究種目:基盤研究(A)(2) 課題番号:13305005 研究代表者:近藤 博基 研究期間:2001-2004年度
• Format (IMT): application/pdf
• Source: 13305005.pdf （fulltext）; https://nagoya.repo.nii.ac.jp/record/11257/files/13305005.pdf
• Access Restrictions: インターネット公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 名古屋大学 : 名古屋大学学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 走査型トンネル顕微鏡(STM)および電流検出型原子間力顕微鏡(C-AFM)を用いて、極薄シリコン酸化膜(SiO_2膜)ならびにゲートSiO_2膜の劣化現象を原子スケールまたはナノスケールで観察し、劣化機構に関して多くの知見を得た。 STM及び走査型トンネル分光法(STS)を用いた研究では、極薄SiO...