電子ビーム励起プラズマを用いた立方晶窒化ホウ素in-situ Mgドーピング技術の確立

Material type: 文書・図像類

Author: 竹内, 和歌奈ほか

Publisher: 愛知工業大学

Publication date: 2022-10

Material Format: Digital

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Note (General)：: identifier:http://repository.aitech.ac.jp/dspace/handle/11133/4155

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Material Type: 文書・図像類
Title: 電子ビーム励起プラズマを用いた立方晶窒化ホウ素in-situ Mgドーピング技術の確立
Author/Editor: 竹内, 和歌奈
高島, 成剛
山川, 晃司
Author Heading: 竹内, 和歌奈
高島, 成剛
山川, 晃司
Publication, Distribution, etc.: 愛知工業大学
Publication Date: 2022-10
Publication Date (W3CDTF): 2022-10
Alternative Title: デンシビームレイキプラズマオモチイタリッポウショウチッカホウソ in-situ Mg ドーピングギジュツノカクリツ
Periodical title: 総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.
No. or year of volume/issue: 24
Volume: 24
Pages: 87-89
ISSN (Periodical Title): ISSN : 1344-9672
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 窒化ホウ素
結晶成長
ワイドバンドギャップ半導体
ドーピング技術
半導体物性
デバイス特性
Target Audience: 一般
Note (General): identifier:http://repository.aitech.ac.jp/dspace/handle/11133/4155
Source: http://repository.aitech.ac.jp/dspace/bitstream/11133/4155/3/%e7%b7%8f%e7%a0%9424%e5%8f%b7%e4%b8%80%e8%88%ac%e7%a0%94%e7%a9%b6%e6%88%90%e6%9e%9c%e6%a6%82%e8%a6%8105%28p87-89%29.pdf
http://repository.aitech.ac.jp/dspace/bitstream/11133/4155/3/%e7%b7%8f%e7%a0%9424%e5%8f%b7%e4%b8%80%e8%88%ac%e7%a0%94%e7%a9%b6%e6%88%90%e6%9e%9c%e6%a6%82%e8%a6%8105%28p87-89%29.pdf
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 愛知工業大学 : 愛知工業大学学術情報リポジトリ