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半導体デバイスの基礎 中

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半導体デバイスの基礎 中

Material type
図書
Author
B.L.アンダーソン/著ほか
Publisher
丸善出版
Publication date
2012.1
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
9p,p300〜689 ; 21cm
NDC
549.8
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Notes on use

Note (General):

装丁 : ソフトカバー

Detailed bibliographic record

Contents:

ダイオードと電界効果トランジスタ(Provided by: 公共図書館蔵書)

Summary, etc.:

中巻では前半にダイオードの動作原理と動作特性の誘電緩和過程の検討の説明。後半では電界効果トランジスタ(FET)の動作を解説。(Provided by: 出版情報登録センター(JPRO))

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Table of Contents

  • 第II部 ダイオード

  • 第5章 理想的なpnホモ接合

  • 5.1 はじめに

  • 5.2 理想的なpn接合(定性的議論)

  • 5.3 理想的なpnホモ接合(定量的議論)

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    549.8/アン ハ/2
    Book Registration Number:
    100324623

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    549.8/A46/2
    Book Registration Number:
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
図書
ISBN
4-621-06156-5
978-4-621-06156-5
Title Transcription
ハンドウタイ デバイス ノ キソ
Volume
Author/Editor
B.L.アンダーソン/著
R.L.アンダーソン/著
樺沢 宇紀/訳
シュプリンガー・ジャパン株式会社/編集
Author Heading
アンダーソン,B.L.
アンダーソン,R.L.
樺沢‖宇紀 カバサワ,ウキ
シュプリンガー‖ジャパン株式会社 シュプリンガー,ジャパン,カブシキ,ガイシャ
Publication, Distribution, etc.
Publication Date
2012.1
Publication Date (W3CDTF)
2012