静岡大学電子工学研究所研究報告

• Material Type: 雑誌
• Title: 静岡大学電子工学研究所研究報告
• Title Transcription: シズオカ ダイガク デンシ コウガク ケンキュウジョ ケンキュウ ホウコク
• Volume: 31-34 19960000-19990000
• Author Heading: 静岡大学電子工学研究所 シズオカ ダイガク デンシ コウガク ケンキュウジョ
• Publication, Distribution, etc.: 浜松 : 静岡大学電子工学研究所
• Publication Date: 1996-1999
• Publication Date (W3CDTF): 1996-1999
• Year and volume of publication: 1巻1号 (1966)-v. 30, no. 3(1995) ; 31巻 (1996)-38巻 (2003)
• Size: 30cm
• Alternative Title: Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University
• ISSN (Periodical Title): 0286-3383
• ISSN-L (Periodical Title): 0286-3383
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn; eng
• NDLC: ZN33
• Note (General): 本タイトル等は最新号による; v. 30, no. 3の本タイトル: Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University; 刊行頻度, 大きさの変更あり
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z16-297
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000009920; http://id.ndl.go.jp/bib/000000009920
• Cataloging Rule: Nippon Cataloguing Rules 1987 Revised Edition

Table of Contents

Nucleation and Growth Mechanism of NdBa2Cu3Ox

Growth and Morphology of YBa2Cu3Ox Single Crystals

スチリルキノリニウム塩の合成と光生成ラジカルの相互作用制御

導波モード色素薄膜の光誘起複素屈折率変化による超高速光変調

電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性

In溶液からのCuGaSe2バルク結晶の成長

組成変換法によるGaP基板上GaNの成長

a-Si:H/a-Si1-xCx:H傾斜構造を用いた光電変換膜による光電流増倍

セレン化亜鉛結晶への高濃度ヨウ素添加

Si基板上へのEL素子の集積化

窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長

InSb結晶中へのGa混入機構(第2報)

ナノ秒レーザーハイパーレイリー散乱法による光励起状態の超分子分極率評価

The Femtosecond Photobleaching Study of CdS Nanoparticles in Nafion Films:The Effects of Defect Trapping Sites on the Surface of the Particles

高分解能X線光電子分光法(XPS)による(NH4)2Sx処理 GaAs(111)A,(111)B表面の研究(2)

微小重力下と地上におけるGaSb/InSb/GaSb試料の溶解実験と数値解析

高温光学顕微鏡による低酸素雰囲気下のNdBa2Cu3Ox-Ba3Cu10O13相図作成とNdBa2Cu3Ox結晶成長その場観察

新しい機能を持つ酸化還元イオン対化合物の開発と光応答

複合光導波路法による有機薄膜の超高感度過渡光応答計測

新しい拡大非局在電子系の構築と光生成ラジカルの電荷共鳴相互作用制御