JETI = ジェティ : Japan energy & technology intelligence : エネルギー・化学・プラントの総合技術誌

• Material Type: 雑誌
• Title: JETI : Japan energy & technology intelligence : エネルギー・化学・プラントの総合技術誌
• Title Transcription: JETI : Japan energy & technology intelligence : エネルギー カガク プラント ノ ソウゴウ ギジュツシ
• Volume: 73巻3号 2025年3月
• Author Heading: 日本出版制作センター ニホン シュッパン セイサク センター ( 001244549 )Authorities; ジェティ ジェティ ( 01011640 )Authorities; 石油文化社 セキユ ブンカシャ ( 00782317 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: 東京 : 日本出版制作センター
• Publication Date: 2025
• Publication Date (W3CDTF): 2025
• Note (Publication, distribution, etc.): 出版者変遷: 石油文化社 (32巻1号-37巻12号)→ジェティ (38巻1号-65巻3号); 32巻1号から65巻3号までの頒布者: 幸書房
• Year and volume of publication: 32巻1号 (1984年1月)-
• Size: 26cm
• Alternative Title: ジェティ ジェティ; Japan engineering & technology intelligence; ものづくり・産業技術専門誌 モノズクリ サンギョウ ギジュツ センモンシ; エネルギー・化学・プラントの総合誌 エネルギー カガク プラント ノ ソウゴウシ
• ISSN (Periodical Title): 0289-4343
• ISSN-L (Periodical Title): 0289-4343
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Content Type: テキスト
• Media Type: 機器不用
• Carrier Type: 冊子
• NDLC: ZP29
• Note (General): 本タイトル等は最新号による; タイトル関連情報変遷: Japan energy & technology intelligence, エネルギー・化学・プラントの総合誌 (32巻1号-66巻9号)→ Japan engineering & technology intelligence, ものづくり・産業技術専門誌 (第66巻第10号-第67巻第4号); 32巻1号から37巻12号までの編者: 石油文化社
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z17-176
• Replaces: 合併前 : 石油と石油化学 (ISSN:0371-3830); https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000013416; 合併前 : 石油文化 (ISSN:0289-4149); https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000013420
• Continues: 派生後 : 石油文化 (ISSN:0916-3840) 38巻1号-; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000071223
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000039492; http://id.ndl.go.jp/bib/000000039492
• Cataloging Rule: National Diet Library Cataloging Rules for Serials

Table of Contents

第7世代「Xシリーズ」大容量IGBTモジュールの系列拡大 (特集 半導体に関する研究)

(ポリ)グリセリンを含有するアルカリ現像液が感光性ポジ型ポリイミドの感度と溶解性に及ぼす影響 (特集 半導体に関する研究)

半導体モールド用離型フィルムの開発 (特集 半導体に関する研究)

プロトン照射によるSiCパワー半導体の順方向通電劣化抑制技術 (特集 半導体に関する研究)

超高純度酸素およびアルゴンを併産する窒素製造プロセス (特集 半導体に関する研究)