薄膜・表面物理セミナー

• Material Type: 雑誌
• Title: 薄膜・表面物理セミナー
• Title Transcription: ハクマク ヒョウメン ブツリ セミナー
• Volume: 47巻 2019年7月26日
• Author Heading: 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: [東京] : [応用物理学会]
• Publication, Distribution, etc. (Intervening Publisher): [東京] : 応用物理学会薄膜・表面物理分科会
• Publication, distribution, etc. (Current/latest publisher): [東京] : 応用物理学会
• Publication Date: 2019
• Publication Date (W3CDTF): 2019
• Note (Publication, distribution, etc.): 出版者変遷: 応用物理学会薄膜・表面物理分科会 (24回-<33回>)→ 応用物理学会 (<38回>-); 1回から23回までの主催者: 応用物理学会
• Year and volume of publication: 1回 (1970年7月16/18日)-第47回 (2019年7月26日)
• Size: 26-30cm
• Key Title: Hakumaku Hyomen Butsuri Semina
• ISSN (Periodical Title): 2432-2318
• ISSN-L (Periodical Title): 2432-2318
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Content Type: テキスト
• Media Type: 機器不用
• Carrier Type: 冊子
• NDLC: ZM35
• Note (General): 刊行頻度の変更あり; 24回以降の編者: 応用物理学会薄膜・表面物理分科会
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z15-558
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000063202; http://id.ndl.go.jp/bib/000000063202
• Cataloging Rule: Nippon Cataloguing Rules 1987 Revised Edition

Table of Contents

WBGパワーデバイスの現状ならびに事業展開への課題 (半導体GaNの基礎と応用 : パワーデバイス開発のための合成・分析・構造設計技術)

GaNの薄膜低温結晶成長技術とデバイス応用 (半導体GaNの基礎と応用 : パワーデバイス開発のための合成・分析・構造設計技術)

GaN-MOSFETにおける絶縁膜/GaN界面特性およびチャネル移動度の面方位依存性 (半導体GaNの基礎と応用 : パワーデバイス開発のための合成・分析・構造設計技術)

GaN結晶の転位検出と評価の現状と課題 (半導体GaNの基礎と応用 : パワーデバイス開発のための合成・分析・構造設計技術)

GaN HEMTの高周波・高出力デバイスへの応用 (半導体GaNの基礎と応用 : パワーデバイス開発のための合成・分析・構造設計技術)