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Table of Contents
80(1) 1997.01
- 5CB液晶セルの低周波誘電分散特性
p.8~13
80(6) 1997.06
- Au-Al固相拡散フリップチップ実装技術における接合メカニズム
p.187~195
- 低電圧制御を可能とするイオンヘッド
p.206~214
80(10) 1997.10
- Sn-5wt%Sb合金の融点および金属組織に及ぼすPb不純物の影響
p.319~329
- 鉄拡散を用いたGaAs pnp構造の電荷蓄積特性
p.330~334
- LSIの静電破壊因子とその新計測方法
p.335~344
- 記録・再生等化による8/10MSN符号化PRML方式のSN比改善
p.345~351
80(3) 1997.03
- 多数キャリヤ密度の温度依存性を用いた半導体中の不純物評価法
p.95~100
- 画素分割法を用いた広視野角TFT-LCDの開発
p.101~110
80(12) 1997.12
- アモルファスカーボンフィルムの透過電子顕微鏡像への画像解析法の適用
p.421~426
- 1Mbit BiCMOS Cache SRAM高速センス回路技術
p.427~433
- 微小間げき電極間における電界放射電流の挙動--吸着気体量の検討
p.434~439
- フルカラーアナログTFT-LCDドライバ
p.440~447
- 圧電トランスインバータによる冷陰極管の点灯と調光
p.448~453
80(8) 1997.08
- 相補型チャージポンプ昇圧回路
p.253~260
- 高速ディジタル信号伝送用ケーブルコネクタ
p.261~269
80(5) 1997.05
- SPE法によるSOI層の熱酸化膜の評価
p.151~156
- 埋込みゲートを有する縦型MOS FET
p.157~163
- 空間光変調素子用ポリマー分散液晶の構造設計
p.164~171
- SPE法によるSOI層中の不純物拡散
p.181~183
80(7) 1997.07
- 強誘電体ヒステリシス特性モデルの開発とその応用
p.229~235
- 極薄誘電体膜の低電圧領域における直接トンネル電流近似関係
p.242~244
- 多結晶Si薄膜の結晶欠陥と結晶粒径の関係
p.245~248
80(11) 1997.11
- プッシュプル形ホトカプラ負帰還回路を用いた直流微少電流増幅器
p.363~369
- AgPd合金接点における開離時アークの金属蒸気に関する研究
p.370~377
- 縦磁界印加によるArプラズマの安定化
p.378~383
- チョッパ形電圧比較器によるCMOS集積回路の基板雑音の計測
p.384~390
- マクロ化可能なフレキシブルFPGAアーキテクチャ
p.391~398
80(2) 1997.02
80(4) 1997.04
- 光CVD法によるシリコン窒化膜の熱処理効果
p.131~138
80(9) 1997.09
- パルス形ハードウェアカオスニューロンモデルとその分岐現象
p.289~296
- ファジー推論による誘電体アンテナ共用器の自動調整
p.297~304
- Al3Hf金属間化合物膜の結晶化過程と電気的特性
p.309~311
- AgPd合金接点アークのアーク柱軸方向の発光スペクトル強度分布
p.312~316
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 雑誌
- ISSN
- 0915-1907
- ISSN-L
- 0915-1907
- Title
- Title Transcription
- デンシ ジョウホウ ツウシン ガッカイ ロンブンシ
- Volume
- C-2280(1) (通号 97)-80(12) (通号 108) 19970100-19971200
- Part Title
- エレクトロニクス電子素子・応用
- Author/Editor
- 電子情報通信学会 編
- Author Heading
- 電子情報通信学会 デンシ ジョウホウ ツウシン ガッカイ ( 00258121 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.