アネルバ技報

• Material Type: 雑誌
• Title: アネルバ技報
• Title Transcription: アネルバ ギホウ
• Volume: 1-8 19960000-20010000
• Author Heading: アネルバ株式会社 アネルバ カブシキ ガイシャ ( 01050058 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: 府中 (東京都) : アネルバ
• Publication Date: 1996-2001
• Publication Date (W3CDTF): 1996-2001
• Year and volume of publication: Vol.1(1996)-v.11(2005)
• Size: 30cm
• Alternative Title: Technical reports Technical reports
• ISSN (Periodical Title): 1342-2979
• ISSN-L (Periodical Title): 1342-2979
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: ZM5
• Note (General): 本タイトル等は最新号による
• Note (Related Material): 継続前誌: 日電アネルバ技術報告
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z14-B382
• Continues: 継続後 : キヤノンアネルバ技報; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R100000002-I000008035503
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000098969; http://id.ndl.go.jp/bib/000000098969
• Cataloging Rule: National Diet Library Cataloging Rules for Serials

Table of Contents

ディープサブミクロン世代のCMOS技術

Cat-CVD Sinx膜による低損傷GaAsデバイスパッシベーション

DFR酸化膜ドライエッチング装置

BDS装置におけるプラズマ密度とスパッタ金属原子のイオン化率の測定

新型ラジカル源を用いた大面積シリコン酸化膜の作成

SiGe-Si UHV-CVD技術

I-2100 SRE装置におけるエピタキシャルプロセスの開発

TDEATを用いたMOCVD-TiN膜の成膜における微量NH3添加の効果

磁性材料ドライエッチング装置の開発

イオンプレーティング法による次期MgO成膜プロセスの開発

トンネル磁気抵抗とその応用上の材料課題

I-2100におけるパーティクル発生機構の解明とその低減

プレーナー型VHF(60MHz)マグネトロンを用いたイオン化スパッタによるCuシード層形成技術の開発

RS-CVDによる大面積基板へのSi02成膜

製品紹介 non-cracking IAMS質量分析計L-240-IA