イオン化蒸着法による化合物半導体薄膜の成長に関する研究

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国立国会図書館デジタルコレクション

イオン化蒸着法による化合物半導体薄膜の成長に関する研究

Call No. (NDL): UT51-62-S41
Bibliographic ID of National Diet Library: 000000185905
Persistent ID (NDL): info:ndljp/pid/13036199

Material type: 博士論文

Author: 田村進 [著]

Publisher: -

Publication date: -

Material Format: Paper・Digital

Capacity, size, etc.: -

Name of awarding university/degree: 関西大学,工学博士

Notes on use

Note (General)：: 博士論文

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Bibliographic Record

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Paper Digital

Material Type: 博士論文
Title: イオン化蒸着法による化合物半導体薄膜の成長に関する研究
Title Transcription: イオンカジョウチャクホウニヨルカゴウブツハンドウタイハクマクノセイチョウニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 田村進 [著]
Author Heading: 田村, 進タムラ, ススム
Degree grantor/type: 関西大学
Date Granted: 昭和62年9月26日
Date Granted (W3CDTF): 1987
Dissertation Number: 乙第108号
Degree Type: 工学博士
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
NDLC: UT51
UT31
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-62-S41
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000000185905
http://id.ndl.go.jp/bib/000000185905
Bibliographic Record Category (NDL): 213