InPおよびGa1-x InxAsyP1-y半半導体における衝突イオン化率と光検出デバイスの低雑音化に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: InPおよびGa1-x InxAsyP1-y半半導体における衝突イオン化率と光検出デバイスの低雑音化に関する研究
Title Transcription: InP オヨビ Ga1-x InxAsyP1-y ハンドウタイニオケルショウトツイオンカリツトヒカリケンシュツデバイスノテイザツオンカニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 逢坂福信 [著]
Author Heading: 逢坂, 福信オオサカ, フクノブ
Degree grantor/type: 京都大学
Date Granted: 昭和62年9月24日
Date Granted (W3CDTF): 1987
Dissertation Number: 乙第6330号
Degree Type: 工学博士
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
NDLC: UT51
UT31
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-62-S366
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000000186230
http://id.ndl.go.jp/bib/000000186230
Bibliographic Record Category (NDL): 213