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分子線エピタキシー法で成長したGaAsにおける不純物の挙動とその界面構造への影響

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Material Type: 博士論文
Title: 分子線エピタキシー法で成長したGaAsにおける不純物の挙動とその界面構造への影響
Title Transcription: ブンシセンエピタキシーホウデセイチョウシタ GaAs ニオケルフジュンブツノキョドウトソノカイメンコウゾウエノエイキョウ
Author/Editor: 飯村靖文 [著]
Author Heading: 飯村, 靖文イイムラ, ヤスフミ
Degree grantor/type: 筑波大学
Date Granted: 昭和62年3月25日
Date Granted (W3CDTF): 1987
Dissertation Number: 博甲第462号
Degree Type: 工学博士
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
NDLC: UT51
UT31
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-89-R271
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000000223270
http://id.ndl.go.jp/bib/000000223270
Bibliographic Record Category (NDL): 213