イオン打込みとアニーリングプロセスにより作成した高濃度ドープSi薄層及び細線の電子局在の研究

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イオン打込みとアニーリングプロセスにより作成した高濃度ドープSi薄層及び細線の電子局在の研究

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Material Type: 博士論文
Title: イオン打込みとアニーリングプロセスにより作成した高濃度ドープSi薄層及び細線の電子局在の研究
Title Transcription: イオンウチコミトアニーリングプロセスニヨリサクセイシタコウノウドドープ Si ハクソウオヨビサイセンノデンシキョクザイノケンキュウ
Author/Editor: 伊藤和男 [著]
Author Heading: 伊藤, 和男イトウ, カズオ
Degree grantor/type: 東京大学
Date Granted: 平成1年2月27日
Date Granted (W3CDTF): 1989
Dissertation Number: 乙第9159号
Degree Type: 理学博士
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
NDLC: UT51
UT21
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-89-T332
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000000226372
http://id.ndl.go.jp/bib/000000226372
Bibliographic Record Category (NDL): 213