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Study of heavily carbon doped GaAs and its application to heterojunction bipolar transistors

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Material Type: 博士論文
Title: Study of heavily carbon doped GaAs and its application to heterojunction bipolar transistors
Author/Editor: 斉藤幸喜 [著]
Author Heading: 斉藤, 幸喜サイトウ, コウキ
Alternative Title: 高濃度カーボンドープGaAsとそのヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用に関する研究コウノウドカーボンドープ GaAs トソノヘテロセツゴウバイポーラトランジスタエノオウヨウニカンスルケンキュウ
Degree grantor/type: 東京工業大学
Date Granted: 平成2年3月26日
Date Granted (W3CDTF): 1990
Dissertation Number: 甲第2166号
Degree Type: 工学博士
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
NDLC: UT51
UT31
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-90-R113
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000000233837
http://id.ndl.go.jp/bib/000000233837
Bibliographic Record Category (NDL): 213