Studies on deep level characterization and optoelectronic device application of rapidly thermal-processed GaAs

• Material Type: 博士論文
• Title: Studies on deep level characterization and optoelectronic device application of rapidly thermal-processed GaAs
• Author/Editor: 北川章夫 [著]
• Author Heading: 北川, 章夫 キタガワ, アキオ
• Alternative Title: 短時間熱処理されたGaAsの深い準位の評価と光電素子への応用に関する研究 タンジカン ネツ ショリサレタ GaAs ノ フカイ ジュンイ ノ ヒョウカ ト コウデン ソシ エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 名古屋工業大学
• Date Granted: 平成3年3月15日
• Date Granted (W3CDTF): 1991
• Dissertation Number: 乙第23号
• Degree Type: 工学博士
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51; UT31
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-91-G23
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000239958; http://id.ndl.go.jp/bib/000000239958
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

CONTENTS

I.INTRODUCTION

References

II.CHARACTERISTICS OF DEEP LEVELS IN Si-IMPLANTED GaAs LAYERS ACTIVATED BY RAPID THERMAL PROCESSING

2.1 Introduction