Available with Digitized Contents Transmission Service
Find on the publisher's website
国立国会図書館デジタルコレクション
Available for viewing via the Digitized Contents Transmission Service for Individuals to official registered users of the NDL, who resides in Japan.
Search by Bookstore
Read this material in an accessible format.
Table of Contents
論文目録
《目次》
p1
第1章 序論
p1
1-1 半導体素子の高速化とヘテロ構造の要請
p2
1-2 SiGe/Siヘテロ構造形成に於ける再結晶化法の重要性
p13
Search by Bookstore
Read in Disability Resources
- プレーンテキスト
Registered users of Mina Search can download or stream this content.
Bibliographic Record
You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.
- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- サイケッショウカホウ ニ ヨル SiGe/Si ヘテロ コウゾウ ケイセイ ト イケイ ゲンシ ドウニュウ ニ ヨル コウシ フセイ ホショウ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 太田謙 [著]
- Author Heading
- 太田, 謙 オオタ, ケン
- Degree grantor/type
- 東京工業大学
- Date Granted
- 平成3年3月26日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1991
- Dissertation Number
- 甲第2345号
- Degree Type
- 工学博士