博士論文
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再結晶化法によるSiGe/Siヘテロ構造形成と異径原子導入による格子不整補償に関する研究

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再結晶化法によるSiGe/Siヘテロ構造形成と異径原子導入による格子不整補償に関する研究

Call No. (NDL)
UT51-91-N257
Bibliographic ID of National Diet Library
000000242334
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/3055969
Material type
博士論文
Author
太田謙 [著]
Publisher
-
Publication date
-
Material Format
Paper・Digital
Capacity, size, etc.
-
Name of awarding university/degree
東京工業大学,工学博士
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Notes on use

Note (General):

博士論文

Table of Contents

  • 論文目録

  • 《目次》

    p1

  • 第1章 序論

    p1

  • 1-1 半導体素子の高速化とヘテロ構造の要請

    p2

  • 1-2 SiGe/Siヘテロ構造形成に於ける再結晶化法の重要性

    p13

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Bibliographic Record

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Paper Digital

Material Type
博士論文
Title Transcription
サイケッショウカホウ ニ ヨル SiGe/Si ヘテロ コウゾウ ケイセイ ト イケイ ゲンシ ドウニュウ ニ ヨル コウシ フセイ ホショウ ニ カンスル ケンキュウ
Author/Editor
太田謙 [著]
Author Heading
太田, 謙 オオタ, ケン
Degree grantor/type
東京工業大学
Date Granted
平成3年3月26日
Date Granted (W3CDTF)
1991
Dissertation Number
甲第2345号
Degree Type
工学博士