分子線エピタキシ(MBE)によるGaAsFET及びHEMTの高性能化と量産化に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 分子線エピタキシ(MBE)によるGaAsFET及びHEMTの高性能化と量産化に関する研究
• Title Transcription: ブンシセン エピタキシ (MBE) ニ ヨル GaAsFET オヨビ HEMT ノ コウセイノウカ ト リョウサンカ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 園田琢二 [著]
• Author Heading: 園田, 琢二 ソノダ, タクジ
• Degree grantor/type: 名古屋工業大学
• Date Granted: 平成3年12月5日
• Date Granted (W3CDTF): 1991
• Dissertation Number: 乙第31号
• Degree Type: 工学博士
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51; UT31
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-91-X249
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000245304; http://id.ndl.go.jp/bib/000000245304
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1.1 関連分野の研究概要と本研究の動機

1.2 本研究の目的と主な内容

1.3 参考文献