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博士論文

CVD法における気相プロセスと表面成膜プロセス : Si,SiC,WSix,TiO[2]生成の場合

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CVD法における気相プロセスと表面成膜プロセス : Si,SiC,WSix,TiO[2]生成の場合

Call No. (NDL)
UT51-91-V109
Bibliographic ID of National Diet Library
000000245910
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/3058776
Material type
博士論文
Author
霜垣幸浩 [著]
Publisher
-
Publication date
-
Material Format
Paper・Digital
Capacity, size, etc.
-
Name of awarding university/degree
東京大学,工学博士
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博士論文

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Table of Contents

Provided by：国立国会図書館デジタルコレクション

  • 目次

  • 緒言

    p1

  • 本論文の目的

    p1

  • 本論文の構成

    p3

  • 第1部 Poly-SiのCVDプロセス

    p3

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Paper Digital

Material Type
博士論文
Title
CVD法における気相プロセスと表面成膜プロセス : Si,SiC,WSix,TiO[2]生成の場合
Title Transcription
CVDホウ ニ オケル キソウ プロセス ト ヒョウメン セイマク プロセス : Si , SiC , WSix , TiO2 セイセイ ノ バアイ
Author/Editor
霜垣幸浩 [著]
Author Heading
霜垣, 幸浩 シモガキ, ユキヒロ
Degree grantor/type
東京大学
Date Granted
平成3年3月15日
Date Granted (W3CDTF)
1991
Dissertation Number
甲第8838号
Degree Type
工学博士