InP化合物半導体中のエルビウムイオンの電子衝突励起とその発光過程
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Table of Contents
Luminescence of erbium ions doped in InP by electron impact excitation and the energy transfer mechanism
p3
目次
p5
1 序論
p10
1.1 半導体光デバイスと希土類イオン
p10
1.2 希土類添加III-V族半導体
p16
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- InP カゴウブツ ハンドウタイチュウ ノ エルビウム イオン ノ デンシ ショウトツ レイキ ト ソノ ハッコウ カテイ
- Author/Editor
- 一色秀夫 [著]
- Author Heading
- 一色, 秀夫 イッシキ, ヒデオ ( 001111508 )Authorities
- Degree grantor/type
- 電気通信大学
- Date Granted
- 平成4年3月23日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1992
- Dissertation Number
- 博甲第11号
- Degree Type
- 工学博士