MOCVD法によるSi基板上のGaPの成長機構と結晶性に関する研究
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Table of Contents
目次
第一章 序論
p1
1.1 はじめに
p1
1.2 Si基板上への化合物半導体の結晶成長法
p2
1.3 本論文の目的と構成
p8
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- MOCVDホウ ニ ヨル Si キバンジョウ ノ GaP ノ セイチョウ キコウ ト ケッショウセイ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 鈴木孝之 [著]
- Author Heading
- 鈴木, 孝之 スズキ, タカユキ
- Degree grantor/type
- 名古屋工業大学
- Date Granted
- 平成4年3月23日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1992
- Dissertation Number
- 甲第83号
- Degree Type
- 工学博士