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博士論文

MOCVD法によるSi基板上のGaPの成長機構と結晶性に関する研究

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MOCVD法によるSi基板上のGaPの成長機構と結晶性に関する研究

Call No. (NDL)
UT51-92-F165
Bibliographic ID of National Diet Library
000000248300
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/3060061
Material type
博士論文
Author
鈴木孝之 [著]
Publisher
-
Publication date
-
Material Format
Paper・Digital
Capacity, size, etc.
-
Name of awarding university/degree
名古屋工業大学,工学博士
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博士論文

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  • 目次

  • 第一章 序論

    p1

  • 1.1 はじめに

    p1

  • 1.2 Si基板上への化合物半導体の結晶成長法

    p2

  • 1.3 本論文の目的と構成

    p8

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Paper Digital

Material Type
博士論文
Title
MOCVD法によるSi基板上のGaPの成長機構と結晶性に関する研究
Title Transcription
MOCVDホウ ニ ヨル Si キバンジョウ ノ GaP ノ セイチョウ キコウ ト ケッショウセイ ニ カンスル ケンキュウ
Author/Editor
鈴木孝之 [著]
Author Heading
鈴木, 孝之 スズキ, タカユキ
Degree grantor/type
名古屋工業大学
Date Granted
平成4年3月23日
Date Granted (W3CDTF)
1992
Dissertation Number
甲第83号
Degree Type
工学博士