Study on device degradation of MOSFETs and its evaluation methods

• Material Type: 博士論文
• Title: Study on device degradation of MOSFETs and its evaluation methods
• Author/Editor: 安田直樹 [著]
• Author Heading: 安田, 直樹 ヤスダ, ナオキ
• Alternative Title: MOSデバイスの特性劣化の機構およびその評価法に関する研究 MOS デバイス ノ トクセイ レッカ ノ キコウ オヨビ ソノ ヒョウカホウ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 大阪大学
• Date Granted: 平成4年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1992
• Dissertation Number: 甲第4571号
• Degree Type: 工学博士
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51; UT31
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-92-E165
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000248707; http://id.ndl.go.jp/bib/000000248707
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

1 General Introduction

1.1 Device degradation induced by hot carriers

1.2 Improvement of device performance using SOI MOSFETs

1.3 Overview of this study