IC用高品質GaAs結晶の成長法に関する研究
Available with Digitized Contents Transmission Service
国立国会図書館デジタルコレクション
Available for viewing via the Digitized Contents Transmission Service for Individuals to official registered users of the NDL, who resides in Japan.
Digital data available（大阪大学学術情報庫 桜華）
学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
Search by Bookstore
Read this material in an accessible format.
Table of Contents
目次
第1章 序論
p1
1.1 GaAsIC用結晶の研究開発動向
p1
1.2 本研究の目的と概要
p3
参考文献
p6
Holdings of Libraries in Japan
This page shows libraries in Japan other than the National Diet Library that hold the material.
Please contact your local library for information on how to use materials or whether it is possible to request materials from the holding libraries.
Search by Bookstore
Read in Disability Resources
- Mina Search
- プレーンテキスト
Registered users of Mina Search can download or stream this content.
Bibliographic Record
You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.
- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- ICヨウ コウヒンシツ GaAs ケッショウ ノ セイチョウホウ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 横川正道 [著]
- Author Heading
- 横川, 正道 ヨコガワ, マサミチ
- Degree grantor/type
- 大阪大学
- Date Granted
- 平成4年1月22日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1992
- Dissertation Number
- 乙第5598号
- Degree Type
- 工学博士