イオン注入によるGaAs超高速トランジスタの能動層および分離層形成に関する研究
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Table of Contents
目次
p1
1章.序論
p1
1.1 背景と目的
p1
1.2 概要
p3
2章.GaAs MESFETとイオン注入
p4
Holdings of Libraries in Japan
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- イオン チュウニュウ ニ ヨル GaAs チョウコウソク トランジスタ ノ ノウドウソウ オヨビ ブンリソウ ケイセイ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 山崎肇 [著]
- Author Heading
- 山崎, 肇 ヤマザキ, ハジメ
- Degree grantor/type
- 大阪大学
- Date Granted
- 平成4年3月18日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1992
- Dissertation Number
- 乙第5691号
- Degree Type
- 工学博士