Studies on heteroepitaxial growth of GaAs on Si substrate by metal organic chemical vapor deposition

• Material Type: 博士論文
• Title: Studies on heteroepitaxial growth of GaAs on Si substrate by metal organic chemical vapor deposition
• Author/Editor: 藤田和久 [著]
• Author Heading: 藤田, 和久 フジタ, カズヒサ
• Alternative Title: 有機金属気相成長法によるSi基板上GaAs成長の研究 ユウキ キンゾク キソウ セイチョウホウ ニ ヨル Si キバンジョウ GaAs セイチョウ ノ ケンキュウ
• Degree grantor/type: 名古屋工業大学
• Date Granted: 平成4年6月4日
• Date Granted (W3CDTF): 1992
• Dissertation Number: 乙第40号
• Degree Type: 工学博士
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51; UT31
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-92-J525
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000250660; http://id.ndl.go.jp/bib/000000250660
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

CONTENTS

Chapter 1.Introduction

1.1 Background

1.2 GaAs epitaxial growth on Si

1.3 Initial stage of GaAs growth on Si