Study of ultra-high carbon-doping in GaAs and InGaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy

• Material Type: 博士論文
• Title: Study of ultra-high carbon-doping in GaAs and InGaAs grown by metalorganic molecular beam epitaxy
• Author/Editor: 山田巧 [著]
• Author Heading: 山田, 巧 ヤマダ, タクミ
• Alternative Title: 有機金属分子線エピタキシー法によるGaAs,InGaAsへの超高濃度カーボンドーピングに関する研究 ユウキ キンゾク ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨル GaAs , InGaAs エ ノ チョウコウノウド カーボンドーピング ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成4年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 1992
• Dissertation Number: 甲第2455号
• Degree Type: 工学博士
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51; UT31
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-92-N91
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000252703; http://id.ndl.go.jp/bib/000000252703
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

TABLE OF CONTENTS

PREFACE

Chapter1.Overview and Objective

Chapter2.Key Features and Principles of GaAs Metalorganic Molecular Beam Epitaxy(MOMBE)