Studies of fluorides/sulfur-treated GaAs interfaces and their applications to MIS devices

• Material Type: 博士論文
• Title: Studies of fluorides/sulfur-treated GaAs interfaces and their applications to MIS devices
• Author/Editor: Ricard, Herve [著]
• Author Heading: Ricard, Herve リカー, エルヴェ
• Alternative Title: 弗化物/硫黄処理GaAs界面の評価とMISデバイスへの応用に関する研究 フッカブツ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成4年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 1992
• Dissertation Number: 甲第2497号
• Degree Type: 工学博士
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51; UT31
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-92-N133
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000252745; http://id.ndl.go.jp/bib/000000252745
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

1 INTRODUCTION

1-1 purpose of this study

1-2 History of GaAs passivation

1-3 The most promising process:(NH₄)₂Sx