レーザー刺激電子励起による化合物半導体表面からの原子放出
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Table of Contents
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目次
p1
1 緒言
p5
1.1 はじめに
p5
1.2 GaP結晶の物性
p7
1.3 バルクの電子励起と格子緩和
p17
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- レーザー シゲキ デンシ レイキ ニ ヨル カゴウブツ ハンドウタイ ヒョウメン カラ ノ ゲンシ ホウシュツ
- Author/Editor
- 服部賢 [著]
- Author Heading
- 服部, 賢 ハットリ, ケン
- Degree grantor/type
- 名古屋大学
- Date Granted
- 平成4年2月19日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1992
- Dissertation Number
- 甲第2546号
- Degree Type
- 理学博士