The application of GaAs on Si for optical devices by MOCVD

• Material Type: 博士論文
• Title: The application of GaAs on Si for optical devices by MOCVD
• Author/Editor: 湯浅貴之 [著]
• Author Heading: 湯浅, 貴之 ユアサ, タカユキ
• Alternative Title: MOCVD法によるSi上GaAsの光学素子への応用 MOCVDホウ ニ ヨル Siジョウ GaAs ノ コウガク ソシ エ ノ オウヨウ
• Degree grantor/type: 名古屋工業大学
• Date Granted: 平成5年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 1993
• Dissertation Number: 甲第111号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-93-D22
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000257357; http://id.ndl.go.jp/bib/000000257357
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

Chapter1:Introduction

1-1.Background

1-2.Epitaxial growth of GaAs on Si

1-3.Application to devices