The first-principles study of the ground state structure and order-disorder transition of Si(001) clean surface

• Material Type: 博士論文
• Title: The first-principles study of the ground state structure and order-disorder transition of Si(001) clean surface
• Author/Editor: 井上耕一郎 [著]
• Author Heading: 井上, 耕一郎 イノウエ, コウイチロウ
• Alternative Title: Si(001)清浄表面の基底状態における構造と秩序無秩序転移の第一原理的手法による研究 Si(001) セイジョウ ヒョウメン ノ キテイ ジョウタイ ニ オケル コウゾウ ト チツジョ ムチツジョ テンイ ノ ダイイチ ゲンリテキ シュホウ ニ ヨル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 九州大学
• Date Granted: 平成5年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 1993
• Dissertation Number: 甲第3043号
• Degree Type: 博士 (理学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-93-D196
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000257531; http://id.ndl.go.jp/bib/000000257531
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

1 Introduction

2 Optimum structure at zero temperature.

2.1 The first-principles molecular dynamics method

2.2 Calculated system and prescription for the calculations.