低エネルギー集束イオンビームによるGaAsのドライエッチング過程と照射損傷に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 低エネルギー集束イオンビームによるGaAsのドライエッチング過程と照射損傷に関する研究
• Title Transcription: テイエネルギー シュウソク イオン ビーム ニ ヨル GaAs ノ ドライ エッチング カテイ ト ショウシャ ソンショウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 小杉敏彦 [著]
• Author Heading: 小杉, 敏彦 コスギ, トシヒコ
• Degree grantor/type: 大阪大学
• Date Granted: 平成5年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1993
• Dissertation Number: 甲第4820号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-93-E258
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000258040; http://id.ndl.go.jp/bib/000000258040
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1-1 集束イオンビームプロセスの動向と問題点

1-2 本研究の目的

1-3 論文の構成