Study of heavily phosphorus-doped Si epitaxial films grown by photo and plasma chemical vapor deposition

• Material Type: 博士論文
• Title: Study of heavily phosphorus-doped Si epitaxial films grown by photo and plasma chemical vapor deposition
• Author/Editor: 賈瑛 [著]
• Author Heading: 賈, 瑛 チア, イン
• Alternative Title: 光及びプラズマCVD法による高濃度PドープSiエピタキシャル膜に関する研究 ヒカリ オヨビ プラズマ CVDホウ ニ ヨル コウノウド P ドープ Si エピタキシャルマク ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成5年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 1993
• Dissertation Number: 甲第2603号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Alias of Author: Jia, Ying
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-93-L196
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000261258; http://id.ndl.go.jp/bib/000000261258
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

TABLE OF CONTENTS

Preface

Chapter 1.Overview and Objective of This Research

Chapter 2.Fundamentals of Heavily Doped Silicon