Fundamental study of metal/insulator heterostructure electron devices

• Material Type: 博士論文
• Title: Fundamental study of metal/insulator heterostructure electron devices
• Author/Editor: 渡辺正裕 [著]
• Author Heading: 渡辺, 正裕 ワタナベ, マサヒロ
• Alternative Title: 金属/絶縁体ヘテロ構造電子デバイスに関する基礎研究 キンゾク
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成5年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 1993
• Dissertation Number: 甲第2609号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-93-L202
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000261264; http://id.ndl.go.jp/bib/000000261264
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

Chapter 1 Introduction

1.1 The Advantages of Using Metal-Insulator Combinations

1.2 Material Components

1.3 Purpose and Contents of this Thesis