Origin and structure of defects in hydrogenated amorphous silicon and its alloys

• Material Type: 博士論文
• Title: Origin and structure of defects in hydrogenated amorphous silicon and its alloys
• Author/Editor: 厳輝 [著]
• Author Heading: 厳, 輝 イエン, ホイ
• Alternative Title: 水酸化アモルファスシリコン及びその合金における欠陥の起源と構造 スイサンカ アモルファス シリコン オヨビ ソノ ゴウキン ニ オケル ケッカン ノ キゲン ト コウゾウ
• Degree grantor/type: 金沢大学
• Date Granted: 平成5年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1993
• Dissertation Number: 甲第1158号
• Degree Type: 博士 (理学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Alias of Author: Yan, Hui
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-93-M318
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000261899; http://id.ndl.go.jp/bib/000000261899
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Chapter1.Introduction

1-1 Background

1-2 Purpose and organization of this study

References

Chapter2.Comparison between ESR and CPM for the Gap States in [数式]:H