Electrical properties of metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors made in ultrathin-film silicon-on-insulators

• Material Type: 博士論文
• Title: Electrical properties of metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors made in ultrathin-film silicon-on-insulators
• Author/Editor: 吉見信 [著]
• Author Heading: 吉見, 信 ヨシミ, マコト
• Alternative Title: 絶縁膜上のシリコンに形成したMOSトランジスタの電気特性 ゼツエンマクジョウ ノ シリコン ニ ケイセイシタ MOS トランジスタ ノ デンキ トクセイ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成3年5月30日
• Date Granted (W3CDTF): 1991
• Dissertation Number: 乙第10226号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-93-P76
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000262184; http://id.ndl.go.jp/bib/000000262184
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Table of Contents

Chapter1 Introduction

Chapter2 Simulation and analysis of the fundamental properties of ultrathin-film SOI MOSFETs

2.1 Simulated device structure

2.2 Subthreshold characteristic