Photoluminescence and electrical properties of impurity-doped ZnSe layers grown by molecular beam epitaxy

• Material Type: 博士論文
• Title: Photoluminescence and electrical properties of impurity-doped ZnSe layers grown by molecular beam epitaxy
• Author/Editor: 大川和宏 [著]
• Author Heading: 大川, 和宏 オオカワ, カズヒロ
• Alternative Title: 分子線エピタキシー法により成長した不純物添加ZnSe薄膜のフォトルミネッセンス特性と電気特性に関する研究 ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨリ セイチョウシタ フジュンブツ テンカ ZnSe ハクマク ノ フォトルミネッセンス トクセイ ト デンキ トクセイ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成4年1月27日
• Date Granted (W3CDTF): 1992
• Dissertation Number: 乙第10512号
• Degree Type: 博士 (理学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-93-P362
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000262470; http://id.ndl.go.jp/bib/000000262470
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

CONTENTS

Acknowledgment

1.Introduction:Wide band-gap II-VI compounds

References

2.Preparation of ZnSe layers by molecular beam epitaxy