Two-dimensional fringing effects of scaled-down MOS field effect transistors

• Material Type: 博士論文
• Title: Two-dimensional fringing effects of scaled-down MOS field effect transistors
• Author/Editor: 岩井洋 [著]
• Author Heading: 岩井, 洋, 1949- イワイ, ヒロシ, 1949- ( 00919951 )Authorities
• Alternative Title: 縮小したMOS電界効果トランジスタの二次元周辺効果 シュクショウシタ MOS デンカイ コウカ トランジスタ ノ ニジゲン シュウヘン コウカ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成4年3月16日
• Date Granted (W3CDTF): 1992
• Dissertation Number: 乙第10641号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-93-P491
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000262599; http://id.ndl.go.jp/bib/000000262599
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

CONTENTS

1 Introduction

1.1 The background and motive of this study

1.2 Problems to be solved and contents of this thesis

2 The on-chip capacitance measurement technique for diffused and other internal lines in VLSI