キャパシタンス,コンダクタンスの電圧依存性による半導体の評価に関する研究
Available with Digitized Contents Transmission Service
Find on the publisher's website
国立国会図書館デジタルコレクション
Available for viewing via the Digitized Contents Transmission Service for Individuals to official registered users of the NDL, who resides in Japan.
Search by Bookstore
Read this material in an accessible format.
Table of Contents
第1章 序論
p1
1.1 本研究の背景
p1
1.2 本研究の動機と意義
p2
1.3 本研究の内容
p4
第2章 階段接合キャパシタンスの周波数依存性と深い不純物の密度,放出の時定数との関係に関する理論的検討
p9
Search by Bookstore
Read in Disability Resources
- Mina Search
- プレーンテキスト
Registered users of Mina Search can download or stream this content.
Bibliographic Record
You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.
- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- キャパシタンス , コンダクタンス ノ デンアツ イソンセイ ニ ヨル ハンドウタイ ノ ヒョウカ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 造田安民 [著]
- Author Heading
- 造田, 安民 ゾウタ, ヤスタミ ( 00171825 )Authorities
- Degree grantor/type
- 東京大学
- Date Granted
- 平成4年3月16日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1992
- Dissertation Number
- 乙第10644号
- Degree Type
- 博士 (工学)