LEC法による半絶縁性GaAs単結晶の融液組成および不純物制御に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: LEC法による半絶縁性GaAs単結晶の融液組成および不純物制御に関する研究
• Title Transcription: LECホウ ニ ヨル ハンゼツエンセイ GaAs タンケッショウ ノ ユウエキ ソセイ オヨビ フジュンブツ セイギョ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 西尾譲司 [著]
• Author Heading: 西尾, 譲司 ニシオ, ジョウジ
• Degree grantor/type: 慶應義塾大学
• Date Granted: 平成5年7月7日
• Date Granted (W3CDTF): 1993
• Dissertation Number: 乙第2608号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-93-T498
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000265220; http://id.ndl.go.jp/bib/000000265220
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

目次

第1章 序論

1.1 液体封止回転引上げ法により育成されるGaAs単結晶に関する研究の歴史的経緯

1.2 本研究の目的と意義