分子線エピタキシー法によるInP系化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長初期過程および界面制御に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 分子線エピタキシー法によるInP系化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長初期過程および界面制御に関する研究
• Title Transcription: ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨル InPケイ カゴウブツ ハンドウタイ ノ ヘテロエピタキシャル セイチョウ ショキ カテイ オヨビ カイメン セイギョ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 丸山裕之 [著]
• Author Heading: 丸山, 裕之 マルヤマ, ヒロユキ
• Degree grantor/type: 豊橋技術科学大学
• Date Granted: 平成6年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 1994
• Dissertation Number: 甲第100号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-94-E136
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000268579; http://id.ndl.go.jp/bib/000000268579
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

分子線エピタキシー法によるInP系化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長初期過程および界面制御に関する研究

目次

第1章 序論

§1.1 InP系化合物半導体の特徴とそのデバイスへの応用

§1.2 InP系化合物半導体ヘテロエピタキシーの応用とその研究