半導体表面におけるレーザーアブレーションの初期過程とレーザー誘起原子放出の研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 半導体表面におけるレーザーアブレーションの初期過程とレーザー誘起原子放出の研究
• Title Transcription: ハンドウタイ ヒョウメン ニ オケル レーザー アブレーション ノ ショキ カテイ ト レーザー ユウキ ゲンシ ホウシュツ ノ ケンキュウ
• Author/Editor: 岡野晃子 [著]
• Author Heading: 岡野, 晃子 オカノ, アキコ
• Degree grantor/type: 名古屋大学
• Date Granted: 平成6年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1994
• Dissertation Number: 甲第2983号
• Degree Type: 博士 (理学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-94-R102
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000274659; http://id.ndl.go.jp/bib/000000274659
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

1 序論

1.1 はじめに

1.2 半導体表面の原子構造と電子構造

1.3 電子励起によって誘起される固体表面からの原子放出