直衝突イオン散乱分光による半導体表面構造とその動的変化の解析

• Material Type: 博士論文
• Title: 直衝突イオン散乱分光による半導体表面構造とその動的変化の解析
• Title Transcription: チョクショウトツ イオン サンラン ブンコウ ニ ヨル ハンドウタイ ヒョウメン コウゾウ ト ソノ ドウテキ ヘンカ ノ カイセキ
• Author/Editor: 片山光浩 [著]
• Author Heading: 片山, 光浩 カタヤマ, ミツヒロ
• Degree grantor/type: 大阪大学
• Date Granted: 平成6年11月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1994
• Dissertation Number: 乙第6462号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-95-A331
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000279822; http://id.ndl.go.jp/bib/000000279822
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 緒論

参考文献

第2章 低速イオン散乱分光法(ISS)の発展

2.1 緒言