博士論文

陽電子消滅法によるシリコン中の格子欠陥の研究

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陽電子消滅法によるシリコン中の格子欠陥の研究

Call No. (NDL)
UT51-95-C102
Bibliographic ID of National Diet Library
000000280745
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/3099202
Material type
博士論文
Author
河裾厚男 [著]
Publisher
-
Publication date
-
Material Format
Paper・Digital
Capacity, size, etc.
-
Name of awarding university/degree
東北大学,博士 (理学)
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Notes on use

Note (General):

博士論文

Table of Contents

  • 目次

  • 第1章 序論

    p1

  • 1.1 半導体中の格子欠陥

    p1

  • 1.2 陽電子と格子欠陥の相互作用

    p3

  • 1.3 Si中の照射誘起欠陥の研究

    p4

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Paper Digital

Material Type
博士論文
Title Transcription
ヨウデンシ ショウメツホウ ニ ヨル シリコンチュウ ノ コウシ ケッカン ノ ケンキュウ
Author/Editor
河裾厚男 [著]
Author Heading
河裾, 厚男 カワスソ, アツオ
Degree grantor/type
東北大学
Date Granted
平成7年3月24日
Date Granted (W3CDTF)
1995
Dissertation Number
甲第5194号
Degree Type
博士 (理学)