MOCVD法によるPZT系強誘電体薄膜の不揮発性メモリーへの応用に関する基礎的研究

• Material Type: 博士論文
• Title: MOCVD法によるPZT系強誘電体薄膜の不揮発性メモリーへの応用に関する基礎的研究
• Title Transcription: MOCVDホウ ニ ヨル PZTケイ キョウユウデンタイ ハクマク ノ フキハツセイ メモリー エ ノ オウヨウ ニ カンスル キソテキ ケンキュウ
• Author/Editor: 富永浩二 [著]
• Author Heading: 富永, 浩二 トミナガ, コウジ
• Degree grantor/type: 中部大学
• Date Granted: 平成7年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 1995
• Dissertation Number: 甲第14号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-95-E149
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000281794; http://id.ndl.go.jp/bib/000000281794
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

緒論

第1章 PZT系薄膜の合成条件の検討および作製

序

1 各単独膜の析出過程の検討