(Al, Ga) As quantum wires formed on vicinal GaAs(110) surfaces by molecular beam epitaxy

• Material Type: 博士論文
• Title: (Al, Ga) As quantum wires formed on vicinal GaAs(110) surfaces by molecular beam epitaxy
• Author/Editor: 武内道一 [著]
• Author Heading: 武内, 道一 タケウチ, ミサイチ
• Alternative Title: 分子線エピタキシー法で微傾斜GaAs(110)面上に形成した(Al,Ga)As量子細線に関する研究 ブンシセン エピタキシーホウ デ ビケイシャ GaAs(110) メンジョウ ニ ケイセイシタ (Al , Ga) As リョウシ サイセン ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 大阪大学
• Date Granted: 平成8年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 甲第5639号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-E242
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000294845; http://id.ndl.go.jp/bib/000000294845
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Abstract

Contents

1 Introduction

References

2 Experimental