Investigation on the short-channel silicon-on-insulator (SOI) MOSFET towards 0.1 μm gate length for future VLSI application

• Material Type: 博士論文
• Title: Investigation on the short-channel silicon-on-insulator (SOI) MOSFET towards 0.1 μm gate length for future VLSI application
• Author/Editor: Joachim Hans-Oliver [著]
• Author Heading: Joachim Hans-Oliver ヨアヒム ハンス オリバー
• Alternative Title: VLSI応用のための短チャネルSOI MOSFETとその0.1μmレベルへのスケーリングに関する研究 VLSI オウヨウ ノ タメ ノ タンチャネル SOI MOSFET ト ソノ 0.1マイクロm レベル エ ノ スケーリング ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 大阪大学
• Date Granted: 平成8年3月5日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 乙第6883号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-E355
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000294958; http://id.ndl.go.jp/bib/000000294958
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Table of Contents

Abstract

Chapter1 General Introduction

1.1 Device Miniaturization and VLSI Technology Trends

1.2 Silicon-on-Insulator(SOI)Technology and Applications