Studies on gas phase kinetics of the SiHx radicals in an RF SiH[4] plasma

• Material Type: 博士論文
• Title: Studies on gas phase kinetics of the SiHx radicals in an RF SiH[4] plasma
• Author/Editor: 野村秀次 [著]
• Author Heading: 野村, 秀次 ノムラ, ヒデシ
• Alternative Title: 高周波放電シランプラズマ中のSiHxラジカルの気相反応過程に関する研究 コウシュウハ ホウデン シラン プラズマチュウ ノ SiHx ラジカル ノ キソウ ハンノウ カテイ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 名古屋大学
• Date Granted: 平成8年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 甲第3395号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-G382
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000296087; http://id.ndl.go.jp/bib/000000296087
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

1 Introduction

1.1 Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Film

1.2 RF SiII₄ Plasma for a-Si:H Film Formation

1.3 Purpose and Composition of This Thesis