HVPE growth of GaN bulk single crystal

• Material Type: 博士論文
• Title: HVPE growth of GaN bulk single crystal
• Author/Editor: Theeradetch Detchprohm [著]
• Author Heading: Theeradetch Detchprohm ティーラデート デートプロム
• Alternative Title: HVPE法によるGaNバルク単結晶の成長に関する研究 HVPEホウ ニ ヨル GaN バルク タンケッショウ ノ セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 名古屋大学
• Date Granted: 平成8年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 甲第3404号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-G391
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000296096; http://id.ndl.go.jp/bib/000000296096
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

CONTENTS

Chapter 1 Introduction

§1.1 The Overview of Wide-gap Semiconductor

§1.2 Historical View of GaN and Related Materials

§1.3 The Purposes and Scope of This Study