Studies on CF[x] (x=1-3) radicals in RF fluorocarbon etching plasmas

• Material Type: 博士論文
• Title: Studies on CF[x] (x=1-3) radicals in RF fluorocarbon etching plasmas
• Author/Editor: 丸山幸児 [著]
• Author Heading: 丸山, 幸児 マルヤマ, コウジ
• Alternative Title: RFフルオロカーボンエッチングプラズマ中のCF[x](x=1-3)ラジカルに関する研究 RF フルオロカーボン エッチング プラズマチュウ ノ CFx (x = 1 - 3) ラジカル ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 名古屋大学
• Date Granted: 平成8年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 甲第3454号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-G441
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000296146; http://id.ndl.go.jp/bib/000000296146
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Table of Contents

CHAPTER1.INTRODUCTION

1.1 Plasma Etching in Semiconductor Device Fabrications

1.2 Problems in Previous Improvement of Plasma Etching

1.3 Purpose and Composition of This Thesis