昇温脱離ガス分光分析法による超LSI薄膜材料とプロセスの研究
Available with Digitized Contents Transmission Service
Find on the publisher's website
NDL Digital Collections
Available for viewing via the Digitized Contents Transmission Service for Individuals to official registered users of the NDL, who resides in Japan.
Search by Bookstore
Read this material in an accessible format.
Table of Contents
Provided by：国立国会図書館デジタルコレクションLink to Help Page
Abstract
目次
p1
第1章 序論
p1
1.1 超LSIの高集積化における本研究の役割
p1
1.2 本研究の目的
p4
Search by Bookstore
Read in Disability Resources
- Mina Search
- プレーンテキスト
Registered users of Mina Search can download or stream this content.
Bibliographic Record
You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.
- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- ショウオン ダツリ ガス ブンコウ ブンセキホウ ニ ヨル チョウLSI ハクマク ザイリョウ ト プロセス ノ ケンキュウ
- Author/Editor
- 平下紀夫 [著]
- Author Heading
- 平下, 紀夫 ヒラシタ, ノリオ
- Degree Grantor
- 電気通信大学
- Date Granted
- 平成8年3月22日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1996
- Dissertation Number
- 博乙第26号
- Degree Type
- 博士 (工学)